DP10035 磁阻效应实验仪的详细资料

磁阻效应实验仪 型号；DP10035

本实验装置结构简单、实验内容丰富，使用两种材料的传感器：利用砷化镓（ GaAs）霍耳传感器测量磁感应强度，研究锑化铟（InSb）磁阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。学生可观测半导体的霍耳效应和磁阻效应两种物理规律，具有研究性和设计性实验的特点。
  该仪器可用于理工科大学的基础物理实验和设计性综合物理实验，也可用于演示实验。
  磁阻效应实验仪应用本实验仪可以完成以下实验：
  1．用于测定通过电磁铁的电流和磁铁间隙中磁感应强度的关系，观测砷化镓（GaAs）霍耳元件的霍耳效应。
  2．用于测定锑化铟（InSb）磁阻元件电阻大小磁感应强度的对应关系。
  3．研究锑化铟（InSb）磁阻元件在不同磁感应强度区域的电阻值变化与磁感应强度的关系，进行曲线拟合，求出磁阻元件电阻与磁感应强度关系的经验公式。
  4．外接信号发生器，深入研究磁电阻的交流特性（倍频效应），观测其特有的物理现象（选做）。
  磁阻效应实验仪仪器主要技术参数：
  1.双路直流电源
   电流范围 0－500ｍA 连续可调，数字电流表显示大小。
   电流范围 0－3ｍA 连续可调，供传感器的工作电流。
  2.数字式毫特计
   测量范围 0－0.5T，分辨率0.0001T，准确率为1%。