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| 产品名称： | 磁电阻与巨磁电阻效应综合实验仪 |
| 产品型号： | DP-FFD-MRS-A |
| 品牌： | 59 |
| 产品数量： | |
| 产品单价： | 面议 |
| 日期: | 2024-09-18 |
磁电阻与巨磁电阻效应综合实验仪的详细资料
磁电阻与巨磁电阻效应综合实验仪 型号；DP-FFD-MRS-A
由磁场引起材料电阻变化的现象称为磁电阻效应。 目前发现的磁电阻效应有：正常磁电阻效应（ OMR ）、各向异性磁电阻效应（ AMR ）、巨磁电阻效应（ GMR ）、庞磁电阻效应（ CMR ）及隧穿磁电阻效应（ TMR ）等。
本仪器提供三种磁电阻传感器，分别为多层膜巨磁电阻传感器 、自旋阀巨磁电阻传感器、各向异性磁电阻传感器。 帮助学生了解不同磁电阻效应的原理及应用，仪器安全可靠，实验内容丰富。 可用于校、中的基础物理实验、近代物理实验及综合性设计性物理实验。
应用本仪器可成以下实验：
1 ．了解不同磁电阻效应原理，测量不同磁场下三种材料磁电阻阻值 RB ，作 RB/R0-B 关系图，求电阻相对变化率(RB-R0)/R0 的zui大值；
2. 学习磁电阻传感器定标方法，计算三种磁电阻传感器灵敏度；
3 ． 测量三种磁电阻传感器输出 电压V输出与通电导线电流 I 的关系；
4 ．作自旋阀巨磁电阻传感器磁滞回线。
仪器主要参数：
1 ．多层膜巨磁电阻传感器 线性范围 0.15mT － 1.05mT 灵敏度 30.0mV/V/mT － 42.0mV/V/mT
自旋阀巨磁电阻传感器 线性范围 -0.81mT － 0.87mT 灵敏度 13.0mV/V/mT － 16.0mV/V/mT
各向异性磁电阻传感器 线性范围 -0.6mT － 0.6mT 灵敏度 8.0mV/V/mT － 12.0mV/V/mT
2 ．亥姆霍兹线圈 单只线圈匝数 N= 200 匝，半径 10 cm
3 ．亥姆霍兹线圈用恒流源 输出电流 0 － 1.2A 连续可调
4 ．测量用恒流源 输出电流 0 － 连续可调