少子寿命测试仪分解少子与多子的形成及区别

  少子寿命测试仪本设备采用微波反射无接触光电导衰退测量方法，适用于硅块、1mm厚度以下硅片、电池片少数载流子寿命的测量，提供无接触、无损伤、数字显示的快速测量。寿命测量可灵敏地反映半导体重金属污染及缺陷存在的情况，是半导体质量的重要检测项目。

  少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。 它相对于多子而言。　　

  半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子。如，在 N型半导体中,空穴是少数载流子，电子是多数载流子；在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。　　

  多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子，当它顶替晶格中的四价硅原子时，每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合，而余下的一个就不受共价键束缚，它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。出于该电子不是共价键中的价电子，因而不会同时产生空穴。

  1.适用于低阻硅料少子寿命的测量，电阻率测量范围可达ρ＞0.1Ω•cm，解决了微波光电导无法检测低阻单晶硅的问题。

  2.全程监控动态测试过程，避免了微波光电导无法观测晶体硅陷阱效应，表面复合效应缺陷的问题。

  3.贯穿深度大，真正体现了少子的体寿命的测量，避免了表面复合效应的干扰。

  4.专业定制样品架大程度地满足了原生多晶硅料企业测试多种形状的硅材料少子寿命的要求，包括硅芯、检磷棒、检硼棒等。